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为了满足市场对名优馆功能不断进步的要求，直流模块名优馆向高功率、高功率密度、低压大电流、低噪音、杰出的动态特性以及宽输入规划等方向展开，薄型化、模块化、标准化并以积木的办法进行组合的电路拓扑结构得到了日益广泛的应用。

　　下面就其要点加以分析。高功率密度高功率现代通讯产品对体积的要求越来越高，这势必要求模块名优馆减小体积、进步功率密度，而进步功率是与之相得益彰的。现在的新式转化及封装技能可使名优馆的功率密度到达188W/in3,比传统的名优馆功率密度增大不止一倍。

　　功率可逾越90%.之所以能到达这些目标，应归功于微电子技能的展开使很多高功能的新式器件出现出来，然后使损耗下降。较典型的是高功能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs），其在同步整流器中替代了传统规划中运用的二极管。

　　使压降由0.4V降到0.2V;功率MOSFET制造商正在开发导通电阻越来越小的器件，其导通电阻已由180mΩ降到18mΩ；高度的硅晶片集成使元件数目减少2/3以上，结构严密、相关于分立元件的布局减小了杂散电感和连线电阻。

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